Samsung Elektronik har til hensigt at frigive 1 TB DDR5-hukommelse i et enkelt modul takket være et gennembrud inden for DRAM-fremstilling.
sydkoreansk virksomhed udviklede sig hukommelsesindustriens første 32-gigabit (GB) DDR5 RAM med den højeste kapacitet ved hjælp af en 12nm-proces. Takket være dette Samsung vil kunne producere 5TB DDR1 hukommelsesmoduler, men der er en anden fordel ved at flytte til 32GB DRAM. Sammenlignet med de eksisterende 5GB DDR16 DRAM-moduler fremstillet ved hjælp af 12nm-processen, vil strømforbruget for 128GB-modulerne blive reduceret med 10%.
Ifølge Sang-Joon Hwan, vicepræsident for DRAM-produkter og teknologi på Samsung Elektronik, i første omgang vil hovedforbrugerne af denne hukommelse være datacentre, kunstig intelligens og big data: "Takket være vores 32 gigabyte DRAM-hukommelse i 12 nm-klassen har vi fået en løsning, der vil give os mulighed for at skabe DRAM-moduler med en volumen på op til 1 TB, hvilket vil give os mulighed for at være ideelt positioneret til at imødekomme det voksende behov for højkapacitets RAM i æraen med AI (kunstig intelligens) og big data … Vi vil fortsætte med at udvikle DRAM-løsninger ved hjælp af differentierede fremstillingsprocesser og designteknologier til at skubbe grænserne for hukommelsesteknologi."
Mere hukommelse på mindre plads med mindre strømforbrug vil altid være populært blandt datacenteroperatører. Denne hukommelsesteknologi skulle dog med tiden migrere til DDR5-modulerne, der bruges i vores stationære pc'er og bærbare computere. I øjeblikket ser 192 GB hukommelsessæt bestående af fire moduler ud til at være det højeste niveau for forbrugerne.
Læs også: