Forleden var afdelingens næstformand Samsung fra kontrakt chip fremstilling Jeon Gi-tae i et interview med The Elec publikation rapporteret, at i den fremtidige teknologiske proces SF1.4 (klasse 1,4 nm) vil antallet af kanaler i transistorer blive øget fra tre til fire, hvilket vil give håndgribelige fordele med hensyn til ydeevne og energiforbrug. Dette vil ske tre år efter udgivelsen af Intels lignende transistorer, hvilket vil tvinge Samsung indhente konkurrenten.
Selskab Samsung var den første til at producere transistorer med en gate, der fuldstændigt omgiver kanalerne i transistorerne (SF3E). Dette skete for over et år siden og bruges ret selektivt. For eksempel bruges denne form for 3nm-proces til at producere chips til cryptocurrency-minearbejdere. Kanaler i transistorer i den nye teknologiske proces er tynde nanoplader placeret over hinanden. I transistorer Samsung tre sådanne kanaler, som er omgivet af en port på alle fire sider, og derfor løber strømmen gennem dem under præcis kontrol med minimal lækage.
Intel vil tværtimod begynde at producere sine første transistorer med nanosheetkanaler i 2024 ved hjælp af 2 nm RibbonFET Gate-All-Around (GAA) teknologiprocessen. Fra starten vil de have fire nanosheetkanaler i hver. Det betyder, at Intels GateGAA-transistorer vil være mere effektive end tilsvarende transistorer Samsung, vil kunne passere en højere strøm og vil være mere energieffektive end transistorerne fra den sydkoreanske konkurrent. Det vil vare omkring tre år indtil Samsung vil ikke begynde at producere chips på den SF1.4 tekniske proces, som forventes i 2027. Som det nu er blevet kendt, bliver de også "firebladede" - de får hver fire kanaler i stedet for dagens tre.
Om det bliver en anden sag Samsung faktisk falde bagud Intel med hensyn til fremstillingsevne? Til den tid vil det sydkoreanske firma have fem års erfaring i masseproduktion af GAA-transistorer, mens Intel forbliver en nykommer. Og med produktionen af sådanne transistorer er alt næppe enkelt, fordi Samsung bruger denne tekniske proces meget, meget selektivt. Under alle omstændigheder vil overgangen til en ny arkitektur af transistorer være et væsentligt gennembrud for halvlederindustrien og vil gøre det muligt at flytte den barriere, ud over hvilken traditionel halvlederproduktion ikke længere vil være på forkant med fremskridtet i nogle år endnu. .
Læs også:
- Anmeldelse Samsung Galaxy Fold5: opdateret, flagskib, foldbar
- Oversigt over Intel Core 14. generations processorer: hvad er de interessante, og hvem er de nyttige for?