Selskab micron Technology annoncerede starten på leverancer af verdens første 176-lags flashhukommelse 3D NAND. Ifølge producenten gjorde brugen af avanceret arkitektur det muligt at lave et "radikalt gennembrud", hvilket væsentligt øgede ikke kun lagertætheden, men også ydeevnen. Den nye hukommelse vil finde applikationer i lager til datacentre, smarte perifere enheder og mobile enheder.
Nyheden er den femte generation af 3D NAND og i anden generation af RG-arkitekturen (replacement-gate), som er den mest teknologisk avancerede blandt de udviklinger, der er tilgængelige på markedet. Sammenlignet med den tidligere generation af 3D NAND produceret af Micron er læse- og skriveforsinkelser blevet reduceret med mere end 35 %. En anden fordel er det kompakte design – 176-lags hukommelsesmatricen er cirka 30 % mindre end de bedste konkurrenters tilbud, hvilket gør den nye hukommelse ideel til applikationer, hvor en lille formfaktor er vigtig.
Microns femte generation 3D NAND kan også prale af en brancheførende dataoverførselshastighed på 1600 millioner overførsler pr. sekund (MT/s) over Open NAND Flash Interface (ONFI)-bussen, hvilket er 33 % hurtigere end de 1200 MT/s opnået med 96-lags og 128-lags 3D NAND Micron-hukommelser fra tidligere generationer.
Micron arbejder sammen med brancherepræsentanter for at fremskynde overtagelsen af den nye hukommelse. Microns 176-lags tre-niveau 3D NAND-hukommelse er i serieproduktion på Microns fabrik i Singapore og er nu tilgængelig for kunderne, herunder gennem Crucials linje af solid-state-drev til forbrugere. Virksomheden vil introducere yderligere nye produkter baseret på denne teknologi i løbet af 2021-kalenderåret.
Læs også:
- Sony annoncerer et nyt Airpeak droneprojekt
- Salget af en mobil steadicam - FeiyuTech AK2000С er begyndt i Ukraine