Samsung annonceret starten på masseproduktion af 16-gigabit DDR5 DRAM-hukommelse, som bruger branchens mest avancerede teknologiske proces af 12-nanometer-klassen. Afslutningen af den mest moderne produktionsproces bekræfter endnu en gang virksomhedens ledelse Samsung inden for avancerede DRAM-teknologier.
Sammenlignet med den forrige generation, den nye RAM Samsung 5nm klasse DDR12 DRAM reducerer strømforbruget med 23 %, mens waferens ydeevne øges med 20 %. Enestående energieffektivitet gør det til en ideel løsning for globale it-virksomheder, der ønsker at reducere deres serveres og datacentres energiforbrug og COXNUMX-fodaftryk.
udvikling Samsung 12 nm procesteknologi er muliggjort ved brug af et nyt materiale med høj ledningsevne, som er med til at øge cellernes kapacitet. Den høje kapacitans fører til en betydelig forskel i elektriske potentialer i datasignalerne, hvilket gør det nemmere at skelne dem nøjagtigt. Virksomhedens bestræbelser på at reducere driftsspændingen og reducere støj var også med til at skabe den optimale løsning, som kunderne havde brug for.
Med en maksimal hastighed på 7,2 gigabit i sekundet, hvilket betyder, at to 30GB UHD-film kan behandles på cirka et sekund, vil Samsungs 5nm DDR12 DRAM-linje understøtte en voksende liste af applikationer, herunder datacentre, kunstig intelligens og næste generation af computere.
I december sidste år afsluttede Samsung test af sin 16-gigabit DDR5 DRAM for kompatibilitet med AMD og fortsætter med at arbejde med globale it-virksomheder for at drive innovation på næste generations DRAM-marked.
Læs også:
Giv en kommentar